BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC0901NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC022N04LS6ATMA1 por Infineon e BSC0901NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC022N04LS6ATMA1 BSC0901NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,66 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A 28 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 79 W —
Encapsulamento SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Contagem de pinos 8 —
Temperatura de operação -55 C to +175 C (junction) —
Status RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Fichas técnicas e recursos

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