BSC022N04LS6ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC022N04LS6ATMA1 par Infineon et ISC011N03L5SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC022N04LS6ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,66 | $0,47 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |