BSC022N04LS6ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC022N04LS6ATMA1 от Infineon и ISC011N03L5SATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSC022N04LS6ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,66 | $0,47 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| Корпус | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Число выводов | 8 | — |
| Рабочая температура | -55 C to +175 C (junction) | -55 C to +175 C (TJ) |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Тип транзистора | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| Уровень MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |