BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC027N04LSGATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5L032ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC027N04LSGATMA1 IAUC120N06S5L032ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 5 (60 V)
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55 C to +175 C (T_j)
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 5 Trench
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes —
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, T_j) — 120 A
R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) — 3.2 mOhm
Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) — 94 W
AEC-Q101 Qualified — Yes
Gate Threshold Voltage V_GS(th) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge Q_G — [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V]

Fiches techniques et ressources

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