BSC027N04LSGATMA1 vs IAUC120N06S5L032ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC027N04LSGATMA1 от Infineon и IAUC120N06S5L032ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC027N04LSGATMA1 - 40V 100A 2.7mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC027N04LSGATMA1 ✓ АктивенInfineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 - 60V 120A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L032ATMA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSC027N04LSGATMA1 | IAUC120N06S5L032ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,54 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 (60 V) |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| Рассеиваемая мощность (TC=25°C) | 83 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55°C to +150°C | -55 C to +175 C (T_j) |
| Корпус | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-34 (5x6 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 5 Trench |
| Уровень MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | — | 120 A |
| R_DS(on) Max (V_GS = 10 V) | — | 3.2 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, T_C = 25 C) | — | 94 W |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge Q_G | — | [DATA_NEEDED: Q_G total at V_GS=10V] |