BSC059N04LS6ATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC059N04LS6ATMA1 par Infineon et BSC014N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC059N04LS6ATMA1 BSC014N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,89
Technology OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 49 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C 59 A —
On-Resistance RDS(on) max 5.9 mOhm at VGS=10 V —
Total Power Dissipation at TA=25C 3 W —
Total Power Dissipation at TC=25C 38 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Diode Continuous Forward Current (IS) 38 A at TC=25C —
Diode Pulse Current (IS,pulse) 236 A at TC=25C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W
Niveau MSL — 1

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