BSC066N06NSATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC066N06NSATMA1 par Infineon et BSC0902NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC066N06NSATMA1 | BSC0902NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,49 | $0,32 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | [DATA_NEEDED: IDM] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 30V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Charge QG(0V..10V) | — | 24 nC |
| Output Charge QOSS | — | 17 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Built-in Diode | — | Yes (single with built-in diode) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |