BSC077N12NS3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC077N12NS3GATMA1 par Infineon et IPD30N10S3L34ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ ActifInfineon
IPD30N10S3L34ATMA1 - 100V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
IPD30N10S3L34ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC077N12NS3GATMA1 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,71 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 (120 V) | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 100 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 98 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 180 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 139 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | -55°C to +175°C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Automotive Grade | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) | — |
| Product Family | — | OptiMOS-T2 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 30 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 57 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 31 mΩ @ VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V) |
| Total Gate Charge (Qg typ) | — | 23 nC |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche tested |