BSC077N12NS3GATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC077N12NS3GATMA1 par Infineon et IPD60R385CPATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC077N12NS3GATMA1 | IPD60R385CPATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,71 | $0,42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 (120 V) | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 98 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 27 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 139 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Grade | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) | — |
| Series | — | CoolMOS™ CP (5th generation) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 600 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 9 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 83 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Boîtier / Format | — | PG-TO252-3 (DPAK) |