BSC077N12NS3GATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC077N12NS3GATMA1 メーカー: Infineon および IPD60R385CPATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC077N12NS3GATMA1 | IPD60R385CPATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.71 | $0.42 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 (120 V) | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 98 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 27 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 139 W | — |
| 動作接合温度 | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C |
| パッケージ | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 8 | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) |
| MSLレベル | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Automotive Grade | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) | — |
| Series | — | CoolMOS™ CP (5th generation) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 600 V |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 9 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 83 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | — | 18 nC (typ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| パッケージ / ケース | — | PG-TO252-3 (DPAK) |