BSC094N06LS5ATMA1 vs IAUCN04S7N012ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC094N06LS5ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N012ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC094N06LS5ATMA1 | IAUCN04S7N012ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC094N06LS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 (logic-level) | OptiMOS-7 (trench) |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | 120 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 9.4 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 36 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] |
| Transistor Grade | — | Automotive (AEC-Q101) |
| Dissipation de puissance (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] |
| Sans halogène | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |