BSC094N06LS5ATMA1 vs IAUCN04S7N012ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC094N06LS5ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N012ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC094N06LS5ATMA1 | IAUCN04S7N012ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,38 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC094N06LS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 (logic-level) | OptiMOS-7 (trench) |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | 120 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 9.4 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 36 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55 °C to +150 °C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute max] |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] |
| Transistor Grade | — | Automotive (AEC-Q101) |
| Dissipação de potência (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] |
| Thermal Resistance RθJA | — | [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |