BSC097N06NSATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC097N06NSATMA1 par Infineon et BSC034N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC097N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C 36 W 74 W
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Boîtier — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)

Fiches techniques et ressources

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