BSC097N06NSATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC097N06NSATMA1 от Infineon и BSC034N06NSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC097N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C 36 W 74 W
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C
Корпус — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену