BSC097N06NSATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC097N06NSATMA1 par Infineon et BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC097N06NSATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Boîtier — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Fiches techniques et ressources

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