BSC097N06NSATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC097N06NSATMA1 от Infineon и BSC070N10NS5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 - 60V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC097N06NSATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC097N06NSATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,38 $0,68
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
Рабочая температура перехода -55C to +150C —
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5 (N-channel trench)
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Диапазон рабочей температуры перехода — -55 C to +150 C
Корпус — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену