BSC097N06NSATMA1 vs IPL60R105P7AUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC097N06NSATMA1 par Infineon et IPL60R105P7AUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC097N06NSATMA1 | IPL60R105P7AUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | CoolMOS P7 |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 46 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM peak value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 9.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 36 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier / Format | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (Unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 105 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | — | 137 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.5 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 45 nC |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Boîtier | — | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Sans halogène | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |