BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC100N10NSFGATMA1 par Infineon et BSC118N10NSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC100N10NSFGATMA1 | BSC118N10NSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,49 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | 11.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD), Tc | 156 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 10 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (for rated RDS(on)) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 2 |
| Mode | — | Enhancement (Normal Level) |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 71 A |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 114 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Sans halogène | — | Yes |
| JEDEC Qualification | — | Qualified per target application |
| Target Application | — | High-frequency SMPS, synchronous rectification |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |