BSC340N08NS3GATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC340N08NS3GATMA1 par Infineon et BSC076N04NDATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC340N08NS3GATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,81 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC340N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 7 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 92 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 34 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Power Dissipation (Tc) 32 W 65 W
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.3 W
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Channel Type Single N-Channel —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

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