BSC340N08NS3GATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC340N08NS3GATMA1 por Infineon e BSC076N04NDATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC340N08NS3GATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,81 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC340N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 23 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 7 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 92 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 34 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Power Dissipation (Tc) 32 W 65 W
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.3 W
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 —
RoHS / Lead-Free RoHS compliant, lead-free —
Channel Type Single N-Channel —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Avalanche Rating Repetitive avalanche rated —
Series — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V (max, typical)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Encapsulamento / Caixa — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)
FET Type — 2x N-Channel MOSFET array

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação