BSD214SNH6327XTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSD214SNH6327XTSA1 par Infineon et BSS192PH6327FTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSD214SNH6327XTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,27 $0,34
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V 250 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Boîtier SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per distributor listing)
Lead Plating Pb-free —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Niveau MSL 1 —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

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