BSD214SNH6327XTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSD214SNH6327XTSA1 por Infineon e BSS192PH6327FTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSD214SNH6327XTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,27 $0,34
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V 250 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Encapsulamento SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per distributor listing)
Lead Plating Pb-free —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
Nível MSL 1 —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

Fichas técnicas e recursos

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