BSF134N10NJ3GXUMA1 vs AIMBG120R010M1XTMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSF134N10NJ3GXUMA1 par Infineon et AIMBG120R010M1XTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSF134N10NJ3GXUMA1 | AIMBG120R010M1XTMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $41,90 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 100 V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 1200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.2 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 43 W | — |
| Boîtier | MG-WDSON-2 (CanPAK M) | PG-TO263-7 (TO-263-7 / D2PAK-7) surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Terminal Position | Bottom | — |
| Terminal Finish | Silver Nickel | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] |
| Technology | Trench-gate OptiMOS planar | Silicon Carbide (SiC) Trench MOSFET |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| RDS(on) at VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] | — |
| Body Diode Reverse Recovery | [DATA_NEEDED: trr value] | — |
| Product Family | — | CoolSiC™ G1 Automotive SiC Trench MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 205 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 8.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 882 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55°C to +175°C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Nombre de broches | — | 7 + Tab |
| Lead-Free | — | Yes |