BSL215CH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSL215CH6327XTSA1 par Infineon et BSL316CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSL215CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,21 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary Pair —
Drain-Source Voltage (V_DS) 20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 1.5 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V 250 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW —
Boîtier / Format PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Configuration Half-bridge (1 N + 1 P) Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS low-voltage MOSFET
Niveau MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Family — OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Boîtier — PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
Nombre de broches — 6
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

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