BSL215CH6327XTSA1 vs BSL316CH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSL215CH6327XTSA1 por Infineon e BSL316CH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSL215CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,22
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel and P-Channel Complementary Pair —
Drain-Source Voltage (V_DS) 20 V —
Continuous Drain Current (I_D) 1.5 A —
R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V 250 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Power Dissipation (P_D) 500 mW —
Encapsulamento / Caixa PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55C to +150C -55C to +150C (junction)
Configuration Half-bridge (1 N + 1 P) Complementary pair (1 N-channel + 1 P-channel in one package)
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS low-voltage MOSFET
Nível MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Family — OptiMOS small-signal complementary MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel ID) — 1.4 A
Continuous Drain Current (P-channel ID) — 1.5 A
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Encapsulamento — PG-TSOP6-6 (TSOP6, 6-pin)
Channel Type — N-channel + P-channel (dual)
Contagem de pinos — 6
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]

Fichas técnicas e recursos

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