BSL308PEH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSL308PEH6327XTSA1 par Infineon et BSL308CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSL308PEH6327XTSA1 | BSL308CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,21 | $0,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | 2x P-Channel (Dual) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| Boîtier | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) | PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) |
| Configuration | Dual, common source | Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Nombre de broches | 6 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) | — | 2.3 A |
| Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) | — | 2 A |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] |
| On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 18 pF |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes (per Infineon product family convention) |