BSL308PEH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSL308PEH6327XTSA1 par Infineon et BSP315PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSL308PEH6327XTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,21 | $0,31 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | 2x P-Channel (Dual) | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 1.8 W (Ta) |
| Boîtier | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| Configuration | Dual, common source | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Nombre de broches | 6 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Technology | — | OptiMOS (enhancement mode) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |