BSL308PEH6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSL308PEH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP315PH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 - 30V 2A Dual P-Ch MOSFET | Infineon

BSL308PEH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSL308PEH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.21 $0.31
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
FET Type 2x P-Channel (Dual) P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 1.8 W (Ta)
パッケージ PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Configuration Dual, common source —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -55 C to +150 C (TJ) —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
ピン数 6 —
Channel Mode Enhancement —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
RoHS ステータス Compliant —
Technology — OptiMOS (enhancement mode)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
動作温度範囲 — -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

データシート&リソース

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