BSL606SNH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSL606SNH6327XTSA1 par Infineon et BSS214NWH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSL606SNH6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,19 | $0,15 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Technology | OptiMOS3 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 4.5 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 5.6 nC (max) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (Tj) | — |
| Boîtier | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free | — | Yes |