BSL606SNH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSL606SNH6327XTSA1 от Infineon и BSS214NWH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | BSL606SNH6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,19 | $0,15 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | — |
| Technology | OptiMOS3 trench MOSFET | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 4.5 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 5.6 nC (max) | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (Tj) | — |
| Корпус | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Статус RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| Рабочая температура | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free | — | Yes |