BSL606SNH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSL606SNH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS214NWH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSL606SNH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.19 $0.15
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Technology OptiMOS3 trench MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
動作温度範囲 -55C to +150C (Tj) —
パッケージ PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT323 (SOT-323-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS ステータス Compliant (Pb-free plating) Compliant
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS214NWH6327XTSA1
Series — OptiMOS
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
動作温度 — -55C to +150C (junction)
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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