BSP135H6906XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP135H6906XTSA1 par Infineon et BSP316PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP135H6906XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,21 |
| FET Type | N-Channel Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 120 mA | -680 mA |
| RDS(on) Max at VGS=0V | 45 Ohm | — |
| Power Dissipation (PD) Max | 1.8 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(off)) | Depletion mode (normally-on) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55 C to +150 C (junction) |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 4 (3 leads + drain tab) | — |
| Technology | SIPMOS (planar high-voltage) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Nombre de broches | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |