BSP295H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP295H6327XTSA1 par Infineon et BSR315PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP295H6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,35 $0,22
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C 1.8 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 300 mΩ —
Boîtier PG-SOT223-4 (3 leads + tab) PG-SC59-3 / SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] ±20 V (max VGS)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packing Code H6327 (7-inch reel) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Planar N-channel MOSFET —
Drain Tab Connection Pin 4 (tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR315PH6327XTSA1
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
Nombre de broches — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

Fiches techniques et ressources

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