BSP295H6327XTSA1 vs BSR315PH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP295H6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSR315PH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP295H6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.35 $0.22
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C 1.8 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 300 mΩ —
パッケージ PG-SOT223-4 (3 leads + tab) PG-SC59-3 / SOT-23-3
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] ±20 V (max VGS)
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Tape and Reel Packing Code H6327 (7-inch reel) —
Channel Mode Enhancement —
Technology Planar N-channel MOSFET —
Drain Tab Connection Pin 4 (tab) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR315PH6327XTSA1
Series — OptiMOS P-Channel
FET Type — P-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -620 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) — 800 mOhm @ -620 mA, -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 176 pF @ 25 V
Total Gate Charge (Qg) — 6 nC @ 10 V
ピン数 — 3
Packaging — Tape & Reel (TR)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product family marking)

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