BSP315PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP315PH6327XTSA1 par Infineon et BSP135H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP315PH6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,31 | $0,43 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel, Depletion Mode |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | SIPMOS (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction, typical) |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSP135H6327XTSA1 |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Operating Mode | — | Normally ON (depletion) |
| Statut RoHS | — | Compliant |