BSP315PH6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSP315PH6327XTSA1 por Infineon e BSP135H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSP315PH6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,31 | $0,43 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel, Depletion Mode |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | SIPMOS (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1.8 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction, typical) |
| Encapsulamento | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSP135H6327XTSA1 |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Operating Mode | — | Normally ON (depletion) |
| Status RoHS | — | Compliant |