BSP315PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP315PH6327XTSA1 par Infineon et BSP88H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP315PH6327XTSA1 | BSP88H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,31 | $0,21 |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | SIPMOS (planar enhancement mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | 350 mA at Ta=25 C |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1.8 W at Ta=25 C |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | 6 ohm typical at VGS=10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Configuration | — | Single |
| Température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Drain Tab Connection | — | SOT-223 tab is drain |