BSP315PH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP315PH6327XTSA1 par Infineon et BSR802NL6327HTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP315PH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,31 $0,15
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (enhancement mode) OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) —
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Qualification — Automotive
Statut RoHS — Compliant
Nombre de broches — 3

Fiches techniques et ressources

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