BSP315PH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP315PH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSR802NL6327HTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP315PH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.31 $0.15
FET Type P-Channel —
Technology OptiMOS (enhancement mode) OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (junction) —
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
動作接合温度 — -55C to +150C
Qualification — Automotive
RoHS ステータス — Compliant
ピン数 — 3

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