BSP316PH6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP316PH6327XTSA1 par Infineon et BSD214SNH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP316PH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,21 $0,27
FET Type P-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Boîtier PG-SOT223-4 (TO-261-4) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
Nombre de broches 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Fiches techniques et ressources

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