BSP316PH6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP316PH6327XTSA1 por Infineon e BSD214SNH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP316PH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,27
FET Type P-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (TO-261-4) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
Número de pinos 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 1
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Fichas técnicas e recursos

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