BSP316PH6327XTSA1 vs BSL308PEH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP316PH6327XTSA1 par Infineon et BSL308PEH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP316PH6327XTSA1 | BSL308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,21 | $0,21 |
| FET Type | P-Channel | 2x P-Channel (Dual) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Nombre de broches | 3 + thermal tab | 6 |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -2 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Configuration | — | Dual, common source |
| Température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] |