BSP89H6327XTSA1 vs BSP125H6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP89H6327XTSA1 par Infineon et BSP125H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP89H6327XTSA1 | BSP125H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,39 | $0,38 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET, enhancement mode | N-Channel MOSFET |
| Technology | SIPMOS (planar power MOS) | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 240 V (VGS=0, ID=250 µA) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 0.35 A | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Ta=25°C | 1.8 W (on FR4 PCB, 6 cm² cooling area) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 6 Ω (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (Tj) | — |
| Thermal Resistance Junction-Ambient (RthJA) | 70 K/W (6 cm² PCB) | — |
| Thermal Resistance Junction-Solder Point (RthJS) | 25 K/W | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223, 4-pin with tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (logic-level compatible) | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| ESD Protection | Internal gate-source Zener | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per ordering code H6327) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSP125H6327XTSA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (TJ) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Niveau MSL | — | 1 (Unlimited) |
| Qualification | — | Automotive / Industrial grade |