BSP92PH6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP92PH6327XTSA1 par Infineon et BSD214SNH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP92PH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,31 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V —
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-4) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Niveau MSL 1 (unlimited) 1
Nombre de broches 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
Statut RoHS — Compliant
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Fiches techniques et ressources

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