BSP92PH6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP92PH6327XTSA1 por Infineon e BSD214SNH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP92PH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,31 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V —
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-4) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Temperatura de operação -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Nível MSL 1 (unlimited) 1
Contagem de pinos 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
Status RoHS — Compliant
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Fichas técnicas e recursos

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