BSP92PH6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSP92PH6327XTSA1 von Infineon und BSD214SNH6327XTSA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSP92PH6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,31 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Transistortyp P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V —
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Gehäuse PG-SOT223-4 (SOT-223-4) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Montageart Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Betriebstemperatur -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL-Level 1 (unlimited) 1
Pin-Anzahl 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS-Status — Compliant
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

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