BSP92PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP92PH6327XTSA1 par Infineon et BSP88H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP92PH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,31 $0,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] 6 ohm typical at VGS=10 V
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Niveau MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Nombre de broches 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Configuration — Single
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fiches techniques et ressources

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