BSP92PH6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP92PH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP88H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP92PH6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.31 $0.21
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
トランジスタタイプ P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
動作温度 -55C to +150C (Tj) -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] 6 ohm typical at VGS=10 V
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSLレベル 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
ピン数 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
Configuration — Single
Technology — SIPMOS (planar enhancement mode)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

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