BSS123IXTSA1 vs IRLML2060TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS123IXTSA1 par Infineon et IRLML2060TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS123IXTSA1 | IRLML2060TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,11 | $0,13 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS Small-Signal | IR HEXFET (Trench Gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 190 mA | 1.2 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 500 mW | 1.25 W |
| RDS(on) (typical, VGS=10 V) | 2.4 ohm | — |
| RDS(on) (max per family datasheet) | 6 ohm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | 1.8 V typical |
| Boîtier | PG-SOT-23-3 (SOT-23-3) | SOT-23 (Micro3, 3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (per family datasheet) | — |
| Qualification | Industrial | — |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per distributor listing) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 |
| Gate Drive Logic Level | Logic-level compatible | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 4.8 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 12 V |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 480 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 650 mOhm (typical 580 mOhm) |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | — | 100 C/W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |