BSS127H6327XTSA2 vs BSL308CH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS127H6327XTSA2 par Infineon et BSL308CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS127H6327XTSA2 | BSL308CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,03 | $0,21 |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | 500 mW |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Sans halogène | Yes, per IEC 61249-2-21 | Yes (per Infineon product family convention) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs |
| Configuration | — | Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) | — | 2.3 A |
| Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) | — | 2 A |
| On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] |
| On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 18 pF |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) |
| Lead-Free | — | Yes |